Rusos de la física han recibido el material para un nuevo tipo de memoria no volátil

Científicos de la mipt, por primera vez, fue criado por blade (2,5 nanómetro) сегнетоэлектрические de la película a base de óxido de hafnio, que pueden ser la base para los elementos de la memoria no volátil.Obtenidos por los científicos blade сегнетоэлектрические de la película pueden servir de base para los elementos de la memoria no volátil.





"Debido a que las estructuras de este material son compatibles con la tecnología de silicio, se puede esperar que en un futuro próximo, directamente en el silicio se pueden crear nuevos dispositivos de memoria no volátil con el uso de сегнетоэлектрических policristalino de capas de óxido de hafnio", — lleva el servicio de prensa de las palabras del autor principal de la investigación, del laboratorio de materiales funcionales y dispositivos para наноэлектроники mipt, andrés Зенкевича.

¿Por qué la memoria no volátil

Ahora el volumen almacenado y procesado de la información en el mundo se duplica cada 1,5 años. Para trabajar con ella, cada vez hay más memoria del ordenador, sobre todo no volátil — es decir, que almacena la información incluso después de apagar la alimentación. El ideal de la misma sería "universal" de la memoria, que tiene la velocidad de la memoria ram, capacidad de disco duro y знергонезависимостью pendrive. Uno de los posibles enfoques para la creación de este tipo de tecnología consideran que la memoria no volátil en сегнетоэлектрических túnel por el camino.

Cómo funciona сегнетоэлектрический túnel de la transición

Сегнетоэлектрик es una sustancia capaz de "recordar" a la dirección externa aplicada a un campo eléctrico. En principio, no conducen la corriente eléctrica, pero en muy pequeñas espesores сегнетоэлектрического de la capa de electrones de probabilidad pueden pasar a través de él, gracias a туннельному el efecto que tiene cuántica de la naturaleza. Por lo tanto, la entrada de la información en la memoria a partir del сегнетоэлектрических de películas se realiza la alimentación de tensión a los electrodos que se adhieren a сверхтонкому сегнетоэлектрику, y la lectura es la dimensión del túnel de la corriente.

En teoría, esta memoria puede poseer exclusivamente a la alta densidad, la velocidad de escritura y lectura, así como el bajo consumo de energía. Ella puede llegar a ser no volátil alternativa para la dinámica de memoria ram, en la que los datos se pueden almacenar sin sobrescribir sólo del orden de 0,1 segundos. Sin embargo, hasta la fecha, todo fabricado prototipos de dispositivos tradicionales сегнетоэлектриков eran incompatibles con la tecnología de silicio, que se usa para la producción de la mayoría de los chips.

Desarrollo de un nuevo científicos

Un equipo de investigadores de mipt, con la participación de colegas de la Universidad de nebraska (estados unidos) y la Universidad de lausana (suiza), por primera vez experimentalmente demostró que сплавные поликристаллические de la película de óxido de zirconio, hafnio y un espesor de sólo 2,5 nm tienen necesarios сегнетоэлектрическими propiedades.





Óxido de hafnio ya se utiliza en la producción moderna de silicio lógicos de chips y, unos años atrás, en una de sus modificaciones se han detectado сегнетоэлектрические propiedades. El mérito de los científicos de mipt es que lograron hacer crecer сверхтонкую, туннельно-transparencias de esta sustancia en el substrato de silicio, manteniendo su сегнетоэлектрические propiedades. Para obtener esta película han utilizado un método que se aplica ampliamente en la producción de los modernos microprocesadores. Ahora los científicos dicen sobre la creación de un nuevo material no volátil de la memoria del ordenador. publicado

 



 

Fuente: energosmi.ru/archives/16274