俄罗斯的物理学家收到的材料的性存储器的一个新的类型 Bashny.Net

科学家的参考和笔记是第一次增长超薄(2.5纳米)铁电膜上的氧化铪，这可以依据的要素的非挥发性记忆。获得通过科学家们的超薄铁片可作为基础元素的非挥发性记忆。





"因为这种材料的结构兼容的硅技术，我们可以预期，在不久的将来直接硅上，可以创建一个新的设备的非挥发性存储使用铁电晶氧层的铪"—引用的新闻服务的字导致研究报告的作者，该实验室的功能性材料和设备用于纳米电子学参考和笔记，安德烈Zenkevich的。

为什么你需要一个非挥发性记忆

现在的金额存储和处理的信息在全世界加倍每1.5年。 与它的工作需要更多的计算机存储器、特别是非挥发性—也就是说，一个存储的信息，甚至在停电。 理想的将是一个"普遍"存储器，有的速度RAM、容量的硬盘和targetability棒。 其中一个最有希望的方法创造这种技术被认为是非挥发性存储器，用于铁隧道连接。

怎么铁隧道

铁电体的物质能够"请记住"的方向施加的外部电场。 原则上，他们不进行发电，但是在非常小的厚的铁层，电子具有一定的概率是仍然可以通过它，由于该隧道的效果有一个量的性质。 因此，记录中的信息存储的基础上铁片的产生是通过应用一个电压的极相邻的超薄铁和阅读测量的隧道流。

从理论上说，这种存储器可具有极高密度，速度记录并阅读，以及低电力消耗。 它可以成为一个现代化的挥发性替代的动态RAM，在那里可以将数据存储，而不复盖，只有约0.1秒钟。 然而，直到现在，所有制造原型设备的基础上铁材料不符合硅技术用于生产的最现代化的电路。

新开发的科学家

一个研究小组从参考和笔记的参与的同事从内布拉斯加大学(美国)和洛桑大学(瑞士)，第一次实验表明，融合多晶片的氧化铪与锆与厚度仅为2.5纳米拥有所需的铁性质。





氧化铪是已经用于生产的现代化硅逻辑片，以及几年前在其一修改被发现的铁性质。 优点的科学家参考和笔记的是，他们设法增加薄，隧道的透薄膜中的这种物质上的硅基，同时保留其铁性质。 得到这样的电影中使用的技术是被广泛用于生产现代化的微处理器。 现在科学家说创作的基础上的新的材料有非挥发性计算机存储器中。 出版

 



 

资料来源：energosmi.ru/archives/16274