在2018年、富士将释放一个"快速存储器"使用碳纳米管。

富士通Mie半导体和富士通半导体宣布，他们已经获得许可证的发展和商业释放不久性存储器使用碳纳米管。 —NRAM的。 最显着的东西在这消息是时间到市场的商业产品的新的和不同寻常的基础上。 生产NRAM记忆开始，在2018!





在第一阶段存NRAM在块的嵌入式性存储器将臂处理器、微控制器和其他复杂的电路。 将采用的处理技术与规范的55纳有一个后过渡到40-纳米级生产率。 在第二阶段，Fujitsu将开始生产的独立回路NRAM，那么我们应该期待的外表各自的非挥发性存储器模块和Ssd。

一些属性的NRAM暗示，在未来的这种存储器可以取代这两个闪存以及DRAM记忆。 速度访问的细胞NRAM在只记录5NS，并交换速度小于20PS。 耐穿NRAM简直是巨大的—小碳管可以承受到1012写周期。





的秘密高可靠性实质上是一个存储器NRAM的。 一个关键层在该单元是一系列数以百计的碳纳米管、相互交织在一种任意的方式。 一个控制电压变形的纳米管，其发生的导电链，而另一个电压引起的反翘曲、断路。





存储器NRAM超过15年的经验，在发展中的美国公司Nantero的。 在2006年Nantero已收到专利，生产技术NRAM在普通CMOS过程中技术上硅晶片。 在2015年的过程中运行在真正的生产，并开始传播通过许可。 在目前的技术Nantero表现出兴趣在12家公司，其中一些是代表10个最大制造商的记忆。 富士通已经具有了丰富的经验在生产的不同寻常的存FeRAM，承诺是第一个制造商，以掌握生产的存在的碳纳米管。 出版

 

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资料来源：www.3dnews.ru/938815