英特尔，加上美光科技，今年将取得突破性进展，在非易失性存储器 Bashny.Net

的技术的3D XPOINT特点： B> i> H4>
的十字形结构： B>
垂直线组合128十亿的存储单元。每个存储器单元存储一位数据。这允许高速和高密度。
多层 B>：
除了位置在一个十字形结构，存储单元布置在多个层中。原有的技术允许你存储128 GB上的内存两层的单芯片。后人技术将层数增加至扩展容量。
使用选择 B>：
DRAM内存采用trazistor在每个存储单元，使其成为最大的和最昂贵的。访问和读或写的存储单元的3D XPOINT通过改变引导到每个选择器的电压实现的。这消除了对晶体管，其提高了容量并降低了成本。
快速细胞 B>：
由于细胞内，高速选择器，低延迟和快速记录的小尺寸，单元可以切换状态比任何其他非易失性存储器技术更快。

3D XPOINT的优点 B> I>
3D XPOINT技术结合的制造存储器在市场现有技术的优点。它的特点是高的性能和密度的组件，低功耗和低廉的价格。

延迟硬盘和NAND存储器的单位是微秒和存储器3D XPOINT - 以纳秒（一秒的十亿分之一）

高速3D XPOINT的好处是可以与PC工作时提高舒适性和普通用户。
这些谁知道它是什么，请等待15个小时，直到欧特克的Maya缓存文件大小400 GB，将欣赏一种新型非易失性存储器的3D XPOINT的，能够操作快1000倍，比传统的NAND闪存固态盘的。

此外，在英特尔认为，一种新的内存，使模式识别不同的神经网络，存储和海量数据处理领域的突破，基因组学等领域的领域



<大段引用>«之一，在现代计算技术是世界上最重要的问题是它需要的处理器访问的数据存储系统在很长一段时间， - 说马克·亚当斯，美光科技公司的总裁。 - 一类新的非易失性存储器是一种革命性的技术，提供快速访问大量数据，并允许您创建全新的应用» BLOCKQUOTE>

建筑 B> I> H4>
Beztranzistornaya创新体系结构创建一个三维上哪些存储单元被放置在数字线和位线的交叉点，这允许独立权利要执行寻址交叉的结构。其结果是，可将数据写入和读取中的小尺寸，这导致更快的读/写更有效的过程。



3D XPOINT的首次交付 B>
试用交付基于该技术的3D XPOINT为个人客户将在今年晚些时候开始的产品。此外，英特尔与美光开发基于该技术的自己的产品。

演示的存储技术的3D XPOINT B>



资料来源： geektimes.ru/post/259576/