Su próximo smartphone puede convertirse en una forma de vida Bashny.Net

Analítico, el organismo de la BBC Research considera que la tecnología de memoria no volátil, basada en el carbono нанотрубках, se iniciará la producción en masa ya en el año 2018."Rara vez se puede ver la tecnología que se eleva después de tantos años de desarrollo, pero NRAM parece tal, dice el editor en jefe de la BBC Research kevin fitzgerald. — En realidad, su próximo smartphone puede convertirse en una forma de vida".





En el informe de un largo camino NRAM — memoria no volátil — a los mercados se compara con la oposición de david y goliat, salvo por el hecho de que en el caso de NRAM david, la ayuda vino uno de los armeros de goliat. En agosto, la compañía Fujistu Semiconductor Ltd. se convirtió en el primer fabricante que anunció el inicio de la producción en masa de la memoria no volátil a finales de 2018.

En opinión de la BBC Research, NRAM tiene el potencial para medios de personalización, es decir, el microchip puede ser adaptado para el conjunto de tareas específicas. Esto le permitirá crear hoteles de lujo independientes de los sensores para el internet de las cosas, así como la memoria para teléfonos inteligentes, chips para autogestionados de coches e incluso los auriculares, en la que se almacenan las grabaciones de música.





En el informe de la BBC Research sugiere que el mercado de la nano-RAM espera un aumento en el total anual de la tasa de crecimiento en el 62,5% entre 2018 y 2023 año. En general, el mercado de esta tecnología crecerá de us $4,7 millones en 2018 hasta $217,6 millones en 2023.

La memoria no volátil, inventado todavía en el año 2001 por la compañía Nantero, Inc., tiene una capacidad de 1000 veces mayor que la actual norma de memoria DRAM, pero no deja de funcionar cuando se desconecta de la electricidad.

Uno de los competidores NRAM — tecnología магнитнорезистивной de ram (MRAM), sobre el desarrollo que trabaja en IBM. En el verano del año pasado, la compañía anunció la creación de un dispositivo de 100 miles de veces más rápida que la memoria NAND, y no afectado por el desgaste. publicado

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Fuente: hightech.fm/2017/01/14/nram-2018