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Los japoneses han creado los primeros transistores de goma
Investigadores japoneses del instituto Nacional de AIST (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology) han desarrollado transistores de nuevo tipo, que suaves, resistentes y soportan bastante fuerte impacto mecánico. La mayoría de los componentes de estos transistores fabricados de goma, кремнийсодержащего gel elástico y plástico. Gracias a esto, los transistores sin perder de mantenimiento pueden soportar las cargas mecánicas, pueden ser cargados en el agua y en ellos puede llegar una mujer de tacón alto-de la horquilla. Todo esto permitirá fabricar en la base de estos transistores sensores, que estarán ubicadas en la ropa o directamente en el suelo residencial, de oficinas y espacios de producción.
El transistor se prepara por medio de la formación de los electrodos de obturación, la escorrentía, la fuente, dieléctrico de la capa y el canal en el volumen de кремнийсодержащей de goma cuyo espesor no exceda de 1 milímetro. El tamaño de un transistor es de 1 a 1 milímetro, y la longitud y la anchura del canal — 700 y 50 micras, respectivamente.
Para la formación de cada uno de los electrodos del transistor se utiliza un material compuesto, de conductividad que se ha mejorado mediante la incorporación de nanotubos de carbono en la composición de este material. Dieléctrica capa que separa el obturador de la canal, el hecho de гелеобразного de material de polímero, impregnado de iones de líquido, y el canal es una pista de nanotubos de carbono, situados caótico tanto, gracias a las propiedades de esta pista se corresponden con las propiedades del material de semiconductor.
Гелеобразный capa aislante actúa de manera distinta a como capa de óxido en las de campo de los transistores. Cuando en la puerta se sirve un potencial eléctrico, los iones están en movimiento y crean adicional de iones capa aislante, que es la que desempeña el papel de un dieléctrico.
La relación de la corriente en estado abierto a la corriente en estado cerrado, el de goma de los transistores de pequeña y es de 104 de la tensión en la puerta de -2 hasta 1 Voltio. Y estas cifras no muy varían mucho en tensión del transistor y, posteriormente, a su regreso a su estado. Algunos cambios en la configuración comenzaron a manifestarse después de 1000 deformaciones, cuando el transistor растягивался en 40 a 50% de su tamaño original. Además, las características de funcionamiento del transistor prácticamente no han cambiado, cuando él llegó la mujer en el zapato de tacón alto-con la horquilla. Ha surgido la presión asciende a 25 kilogramos por centímetro cuadrado, y es en un 70% mayor que la presión ejercida sobre el camino bus груженого del vehículo.
"El esquema de goma, la salida a transistores siguen funcionando incluso cuando se contraen o se dobla en un ángulo agudo" — dice Ацуко Секигучи (Atsuko Sekiguchi), uno de los investigadores, — "Esto permitirá el uso de estos circuitos incluso en las condiciones más difíciles en la ropa, en el suelo y las paredes de los locales, maquinaria industrial, en las carreteras y en muchos otros lugares, donde las condiciones de trabajo ideales". publicado
P. S. Y recuerde, sólo cambiando su consumo — estamos juntos cambiando el mundo! ©
Fuente: vk.com/wiki_inventions?z=photo-56414092_377988965%2Falbum-56414092_00%2Frev
El transistor se prepara por medio de la formación de los electrodos de obturación, la escorrentía, la fuente, dieléctrico de la capa y el canal en el volumen de кремнийсодержащей de goma cuyo espesor no exceda de 1 milímetro. El tamaño de un transistor es de 1 a 1 milímetro, y la longitud y la anchura del canal — 700 y 50 micras, respectivamente.
Para la formación de cada uno de los electrodos del transistor se utiliza un material compuesto, de conductividad que se ha mejorado mediante la incorporación de nanotubos de carbono en la composición de este material. Dieléctrica capa que separa el obturador de la canal, el hecho de гелеобразного de material de polímero, impregnado de iones de líquido, y el canal es una pista de nanotubos de carbono, situados caótico tanto, gracias a las propiedades de esta pista se corresponden con las propiedades del material de semiconductor.
Гелеобразный capa aislante actúa de manera distinta a como capa de óxido en las de campo de los transistores. Cuando en la puerta se sirve un potencial eléctrico, los iones están en movimiento y crean adicional de iones capa aislante, que es la que desempeña el papel de un dieléctrico.
La relación de la corriente en estado abierto a la corriente en estado cerrado, el de goma de los transistores de pequeña y es de 104 de la tensión en la puerta de -2 hasta 1 Voltio. Y estas cifras no muy varían mucho en tensión del transistor y, posteriormente, a su regreso a su estado. Algunos cambios en la configuración comenzaron a manifestarse después de 1000 deformaciones, cuando el transistor растягивался en 40 a 50% de su tamaño original. Además, las características de funcionamiento del transistor prácticamente no han cambiado, cuando él llegó la mujer en el zapato de tacón alto-con la horquilla. Ha surgido la presión asciende a 25 kilogramos por centímetro cuadrado, y es en un 70% mayor que la presión ejercida sobre el camino bus груженого del vehículo.
"El esquema de goma, la salida a transistores siguen funcionando incluso cuando se contraen o se dobla en un ángulo agudo" — dice Ацуко Секигучи (Atsuko Sekiguchi), uno de los investigadores, — "Esto permitirá el uso de estos circuitos incluso en las condiciones más difíciles en la ropa, en el suelo y las paredes de los locales, maquinaria industrial, en las carreteras y en muchos otros lugares, donde las condiciones de trabajo ideales". publicado
P. S. Y recuerde, sólo cambiando su consumo — estamos juntos cambiando el mundo! ©
Fuente: vk.com/wiki_inventions?z=photo-56414092_377988965%2Falbum-56414092_00%2Frev
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