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英特尔承诺SSD，硬盘在两年10 TB容量
每个3D芯片256-384吉比特32层
的在平面结构中集成一个常规的NAND存储器的电气元件，并且这些层不连接。在去年八月，三星开始生产 3D芯片，由电池24垂直堆叠层。在很长一段时间内唯一的韩国公司生产的V-NAND，但今年视频演示投资者英特尔11月20日宣布计划应对解决方案。
英特尔是要找到室256千兆比特（32 GB）在一块芯片上的NAND存储器中的32层技术的MLC（多级单元）的，它的使用的存储需要校准四个状态的2比特的每个小区中。当使用TLC（三层级单元，八个州），这一数量将增加一半至384千兆位（48千兆字节）。
三星正在“蜗居”计划在14纳米。英特尔与美光正与2D内存制程技术为16纳米。但随着减小元件的尺寸的三维存储器的可靠性降低。采用40纳米制程技术，三星的3D芯片，预计英特尔将做相同的。
的
增加采用3D技术的元件的尺寸已导致这样的事实：三星850临<一href="http://www.extremetech.com/computing/189003-samsung-850-pro-review-3d-nand-and-ram-caching-result-in-the-fastest-most-durable-ssd-money-can-buy">называют最快和最可靠的驱动器在市场上。
英特尔不希望自10 TB的tverdotelnikov出现安装刚性框架。最有可能的，这个单位的第一册将集中在企业部门，后来才将广泛分布于家用电脑。
副总裁兼总经理，英特尔抢克鲁克已经承诺，将驱动器的第一册将创建仅仅两年后。正如他所指出的，可能会导致太字节存储器2毫米厚的，这意味着移动设备的存储器将增加，太。
新的芯片将与美光科技厂英特尔，美光闪存技术在犹他州Lehi的合作生产。该工程将是2015年
下半年
为了便于比较，三星V-NAND驱动SM1715 NVMe第3卷，2 TB。 400千兆字节845DC Pro采用4 24层的3D芯片40nm工艺制程，每128 GB的容量。模型中使用的850 Pro的32层V-NAND MLC-86千兆芯片的体积。
在今年年底，海力士<一href="http://www.theregister.co.uk/2014/04/28/sk_hynix_going_for_flash_condos/">планирует开始生产3D-NAND的。同类作品<一href="http://www.theregister.co.uk/2013/07/23/sandisk_takes_the_bics_route_to_3d/">ведутся和SanDisk，也许在2015年，我们将在他们的第一个结果的货架上看到。很可能在明年的3D内存将成为常态。
基于材料<一href="http://www.extremetech.com/computing/194911-intel-announces-32-layer-3d-nand-chips-plans-for-larger-than-10tb-ssds">Extreme技术，<一个href="http://www.kitguru.net/components/memory/anton-shilov/intel-promises-10tb-ssds-thanks-to-3d-v-nand-flash-memory/">KitGuru和<一href="http://www.theregister.co.uk/2014/11/21/intel_offering_an_ingenious_piece_of_10tb_3d_nand_chippery/">TheRegister.什么是您的系统“公平”的金额固态硬盘？ <表> 我没有SSD TD> TR> 小于120 GB TD> TR> 120-250 GB TD> TR> 250-500 GB TD> TR> 500-1000 GB TD> TR> 超过1000 GB TD> TR> TABLE>只有注册用户才能参与投票。 注册，请。 348人投了票。 21人弃权。
来源： geektimes.ru/post/241994/
的在平面结构中集成一个常规的NAND存储器的电气元件，并且这些层不连接。在去年八月，三星开始生产 3D芯片，由电池24垂直堆叠层。在很长一段时间内唯一的韩国公司生产的V-NAND，但今年视频演示投资者英特尔11月20日宣布计划应对解决方案。
英特尔是要找到室256千兆比特（32 GB）在一块芯片上的NAND存储器中的32层技术的MLC（多级单元）的，它的使用的存储需要校准四个状态的2比特的每个小区中。当使用TLC（三层级单元，八个州），这一数量将增加一半至384千兆位（48千兆字节）。
三星正在“蜗居”计划在14纳米。英特尔与美光正与2D内存制程技术为16纳米。但随着减小元件的尺寸的三维存储器的可靠性降低。采用40纳米制程技术，三星的3D芯片，预计英特尔将做相同的。
的
增加采用3D技术的元件的尺寸已导致这样的事实：三星850临<一href="http://www.extremetech.com/computing/189003-samsung-850-pro-review-3d-nand-and-ram-caching-result-in-the-fastest-most-durable-ssd-money-can-buy">называют最快和最可靠的驱动器在市场上。
英特尔不希望自10 TB的tverdotelnikov出现安装刚性框架。最有可能的，这个单位的第一册将集中在企业部门，后来才将广泛分布于家用电脑。
副总裁兼总经理，英特尔抢克鲁克已经承诺，将驱动器的第一册将创建仅仅两年后。正如他所指出的，可能会导致太字节存储器2毫米厚的，这意味着移动设备的存储器将增加，太。
新的芯片将与美光科技厂英特尔，美光闪存技术在犹他州Lehi的合作生产。该工程将是2015年
下半年
为了便于比较，三星V-NAND驱动SM1715 NVMe第3卷，2 TB。 400千兆字节845DC Pro采用4 24层的3D芯片40nm工艺制程，每128 GB的容量。模型中使用的850 Pro的32层V-NAND MLC-86千兆芯片的体积。
在今年年底，海力士<一href="http://www.theregister.co.uk/2014/04/28/sk_hynix_going_for_flash_condos/">планирует开始生产3D-NAND的。同类作品<一href="http://www.theregister.co.uk/2013/07/23/sandisk_takes_the_bics_route_to_3d/">ведутся和SanDisk，也许在2015年，我们将在他们的第一个结果的货架上看到。很可能在明年的3D内存将成为常态。
基于材料<一href="http://www.extremetech.com/computing/194911-intel-announces-32-layer-3d-nand-chips-plans-for-larger-than-10tb-ssds">Extreme技术，<一个href="http://www.kitguru.net/components/memory/anton-shilov/intel-promises-10tb-ssds-thanks-to-3d-v-nand-flash-memory/">KitGuru和<一href="http://www.theregister.co.uk/2014/11/21/intel_offering_an_ingenious_piece_of_10tb_3d_nand_chippery/">TheRegister.什么是您的系统“公平”的金额固态硬盘？ <表> 我没有SSD TD> TR> 小于120 GB TD> TR> 120-250 GB TD> TR> 250-500 GB TD> TR> 500-1000 GB TD> TR> 超过1000 GB TD> TR> TABLE>只有注册用户才能参与投票。 注册，请。 348人投了票。 21人弃权。
来源： geektimes.ru/post/241994/