存储器3D Xpoint达到1 000倍的速度比闪存

英特尔和微米宣布了一个新的类型的存储技术，称为3D XPoint，其中根据他们，将能够提供速度达到1 000倍的速度比目前的非闪存。 第一个原型设备的存储器构成根据XPoint3D技术将在今年晚些时候出现，这意味着我们将能够看到的第一个市场上的产品，使用了3D XPoint在下一年。




根据英特尔和微米，这是第一个完全新型的存储器，其中将被释放，因为作为被提交给非存在1989年。

在这段时间，作为XPoint3D快得多非闪光，这是不是作为快速现代DRAM记忆芯片的。 但新的记忆没有使用晶体管，不同DRAM，它有一个三维结构，顾名思义的。 这个允许获得更多的存储器，用于同样的区域：3D XPoint约10倍密比DRAM。 以及这种记忆是非挥发性，因此它可以存储信息，即使该装置被关闭。




英特尔说3D Xpoint提供更便宜和更快的替代现有的固态硬盘驱动器。 新的驱动，将能够不仅提供更快的速度也更大能力对数据存储、成本更低。




英特尔和微米也状态，3D Xpoint还具有的另一个重要优势：在那个时候，非存储器数量有限的写周期，Xpoint3D没有这个问题。 这意味着在理论上，耐力的驱动的新存储器的增加达到1000倍，速度。 但必须等到明年，或者结束这种学习关于实际性能和其他的指标(包括价格)的产品。 出版

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资料来源：tehplaneta.ru/computers/pamyat-3d-xpoint-do-1000-raz-bystree-chem-flehsh-pamyat