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三星推出的固态存储技术，每单元3位
耶稣受难日，在哈卜尔！
日前，三星电子宣布将推出量产的高性能固态硬盘的服务器和数据中心。数据存储每个单元最多3位的新技术（3位MLC）设计的基础上进行存储大数据量的处理和NAND闪存的最佳选择，使固态硬盘。 SSD三星PM853T的新生产线介绍车型，容量为240 GB，480 GB和960 GB。
技术的3位的MLC可以改善与存储高达每单元两个信息位的存储器相比，30％的生产效率。驱动器芯片的NAND快闪记忆体，它是由10纳米工艺技术生产的类的基础上进行。它们提供了530 MB / s和连续写入可达420 MB / s的连续读取速度。高速随机读取和写入分别可达90,000 IOPS和14,000元。
自从第一的三星SSD 840 EVO的发布与存储技术，每单元3位，2012年，该公司成为生产用于个人电脑和超薄笔记本电脑驱动器的领导者。今天，三星继续扩大SATA，SAS，PCIe和NVMe-设备其线，以加快从硬盘到固态转变过程。设备三星PM853T一个SATA 6 Gb / s的允许数据中心，以提高其性能，并降低建设一个高性能的存储系统的成本。新的固态硬盘将在本季度大型数据中心的存储系统中。
据IHS iSuppli公司的研究，全球SSD市场将增长由$ 9 4美元十亿在2013元至12,4十亿，在2014年，而到2017年将达到200十亿。
资料来源：<一href="http://habrahabr.ru/company/samsung/blog/221511/">habrahabr.ru/company/samsung/blog/221511/
日前，三星电子宣布将推出量产的高性能固态硬盘的服务器和数据中心。数据存储每个单元最多3位的新技术（3位MLC）设计的基础上进行存储大数据量的处理和NAND闪存的最佳选择，使固态硬盘。 SSD三星PM853T的新生产线介绍车型，容量为240 GB，480 GB和960 GB。
技术的3位的MLC可以改善与存储高达每单元两个信息位的存储器相比，30％的生产效率。驱动器芯片的NAND快闪记忆体，它是由10纳米工艺技术生产的类的基础上进行。它们提供了530 MB / s和连续写入可达420 MB / s的连续读取速度。高速随机读取和写入分别可达90,000 IOPS和14,000元。
自从第一的三星SSD 840 EVO的发布与存储技术，每单元3位，2012年，该公司成为生产用于个人电脑和超薄笔记本电脑驱动器的领导者。今天，三星继续扩大SATA，SAS，PCIe和NVMe-设备其线，以加快从硬盘到固态转变过程。设备三星PM853T一个SATA 6 Gb / s的允许数据中心，以提高其性能，并降低建设一个高性能的存储系统的成本。新的固态硬盘将在本季度大型数据中心的存储系统中。
据IHS iSuppli公司的研究，全球SSD市场将增长由$ 9 4美元十亿在2013元至12,4十亿，在2014年，而到2017年将达到200十亿。
资料来源：<一href="http://habrahabr.ru/company/samsung/blog/221511/">habrahabr.ru/company/samsung/blog/221511/