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三星推出了业界第一款闪存3D V-NAND，其中有32层存储单元
下午好，哈卜尔！
三星电子日前宣布批量生产业界第一款闪存3D V- NAND的开始，已经在其三维结构32垂直堆叠存储器单元层。
这是第二代闪存3D V-NAND来自三星。批量生产的第一代芯片在8月开始，去年，他们组成的存储单元的24层。尽管增加层的数量，需要设计技术的更高水平的事实，它提供了在生产效率显著增加，因为三星几乎可以使用被涉及生产存储器三维V形的NAND第一代的相同设备。
此外，三星宣布推出128 GB，256 GB，512 GB和1 TB固态硬盘溢价的新生产线的基础上，新的闪存。与此相反，以基于闪存三维V形的NAND第一代的固态驱动器，其被用于数据中心，从三星新的SSD也意图涵盖PC的上段。新的SSD是更大的资源记录大约2倍和消耗比平面闪速存储器的MLC NAND为基础的车轮能量少20％。散装可靠的存储芯片相比，传统的闪存存储器的三维增加2-10倍。
今年晚些时候，三星将推出固态硬盘基于闪存的3D V-NAND第二代新机型的体积和可靠性更高的利率。
资料来源：<一href="http://habrahabr.ru/company/samsung/blog/224747/">habrahabr.ru/company/samsung/blog/224747/
三星电子日前宣布批量生产业界第一款闪存3D V- NAND的开始，已经在其三维结构32垂直堆叠存储器单元层。
这是第二代闪存3D V-NAND来自三星。批量生产的第一代芯片在8月开始，去年，他们组成的存储单元的24层。尽管增加层的数量，需要设计技术的更高水平的事实，它提供了在生产效率显著增加，因为三星几乎可以使用被涉及生产存储器三维V形的NAND第一代的相同设备。
此外，三星宣布推出128 GB，256 GB，512 GB和1 TB固态硬盘溢价的新生产线的基础上，新的闪存。与此相反，以基于闪存三维V形的NAND第一代的固态驱动器，其被用于数据中心，从三星新的SSD也意图涵盖PC的上段。新的SSD是更大的资源记录大约2倍和消耗比平面闪速存储器的MLC NAND为基础的车轮能量少20％。散装可靠的存储芯片相比，传统的闪存存储器的三维增加2-10倍。
今年晚些时候，三星将推出固态硬盘基于闪存的3D V-NAND第二代新机型的体积和可靠性更高的利率。
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