三星开始大规模生产业界首款DDR4内存模块的3D TSV技术的基础上， Bashny.Net

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昨日，三星电子宣布开始量产64 GB的业界首款DDR4标准RDIMM内存容量的开始。这些新模块都是由36码片的DDR4 DRAM中，其中每一个又分为4 GB的4晶体的DDR4 DRAM的容量。该芯片是节能，采用先进的工艺技术，一流的20纳米制造。芯片被收集在使用晶体称为TSV（硅通孔）的贯通连接上的最新方法单一堆栈。新的高密度的模块将在企业服务器和基于云的应用，以及用于数据中心的解决方案的多样化的进一步发展的关键作用。



开始批量生产模块TSV 3D标志着内存技术史上的一个新的里程碑;回想一下，在这方面的最后一个重要的发展，三星成为了闪光灯的3D NAND垂直（V-NAND），去年首次采用。而三维的V-NAND的基础上，单块晶体内部单元阵列的高的垂直结构的技术中，三维TSV - 创新的技术包建筑物，使晶体的垂直互连层

创建一个包磨损至厚度为几十微米，之后将晶体做数百个微小的孔的三维TSV的DRAM DDR4晶体。它们是由穿过这些孔中运行的电极装置，垂直互连。其结果是，新模块的3D TSV具有两倍的容量和最小的能量消耗两次，用内置于金属丝捆扎结晶的顶部的模块进行比较。

在不久的将来，三星计划超过四个晶体DDR4链接越多，使用3D TSV，DRAM模块的技术创造更高的密度。这将加速解的存储器市场溢价的扩大，因此，在服务器市场过渡到DDR3内存DDR4内存。

三星正在努力改善3D TSV的技术，自2010年以来，当他们第一次开发的模块8GB RDIMM DRAM类40纳米。今年以来，三星电子成为生产TSV封装，专为大批量生产的新服务器模块的新系统。

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