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三星电子开始基于20纳米工艺量产了业界首款8千兆的DDR4
耶稣受难日，在哈卜尔！
三星电子宣布量产的先进的8千兆的内存DDR4的开始，以及基于20纳米制程技术，高端的系统和数据中心的各个模块32 GB。
通过一个新的8千兆的发展DDR4三星将能够提供由20纳米工艺技术，其中包括4个千兆DDR3模块，PC和6个千兆LPDDR3移动设备的内存生产全系列。
本月初，一个新的8千兆DDR4芯片已经发现了32 GB的模块体积的应用。在接触中的数据速率他到达2400兆比特/秒，这是服务器内存的29％的模块的DDR3（1866兆比特/秒）。 8千兆芯片DDR4将创建的模块具有高达128GB，这要归功于技术的3D TSV的最大容量（硅通孔）。
新DDR4内存与高密度数据记录的同时还支持先进的纠错，这将增加它的可靠性在企业服务器的组装过程。此外，新的芯片和1，2伏，这是迄今为止最有可能值的模块DDR4的工作电压。
资料来源：<一href="http://habrahabr.ru/company/samsung/blog/242047/">habrahabr.ru/company/samsung/blog/242047/
三星电子宣布量产的先进的8千兆的内存DDR4的开始，以及基于20纳米制程技术，高端的系统和数据中心的各个模块32 GB。
通过一个新的8千兆的发展DDR4三星将能够提供由20纳米工艺技术，其中包括4个千兆DDR3模块，PC和6个千兆LPDDR3移动设备的内存生产全系列。
本月初，一个新的8千兆DDR4芯片已经发现了32 GB的模块体积的应用。在接触中的数据速率他到达2400兆比特/秒，这是服务器内存的29％的模块的DDR3（1866兆比特/秒）。 8千兆芯片DDR4将创建的模块具有高达128GB，这要归功于技术的3D TSV的最大容量（硅通孔）。
新DDR4内存与高密度数据记录的同时还支持先进的纠错，这将增加它的可靠性在企业服务器的组装过程。此外，新的芯片和1，2伏，这是迄今为止最有可能值的模块DDR4的工作电压。
资料来源：<一href="http://habrahabr.ru/company/samsung/blog/242047/">habrahabr.ru/company/samsung/blog/242047/
