Samsung Electronics comienza la producción en masa de la primera DDR4 8-gigabit de la industria basado en proceso de 20 nm Bashny.Net

Viernes Santo, el Habr!

Samsung Electronics anunció el inicio de la producción en masa de la avanzada DDR4 memoria 8-gigabit, así como los respectivos módulos de 32 GB basados ​​en la tecnología de proceso de 20 nm para sistemas de gama alta y centros de datos.





A través del desarrollo de un nuevo 8 gigabits DDR4 de Samsung ahora será capaz de ofrecer una línea completa de memoria producida por la tecnología de proceso de 20 nm, incluyendo a los módulos DDR3 de 4 gigabits para PCs y 6 LPDDR3 Gigabit para dispositivos móviles.

A principios de este mes, un nuevo chip DDR4 8 gigabits ya encontró aplicación en el módulo de volumen de 32 GB. La velocidad de datos en el contacto que llega a 2400 Mbit / s, que es el 29% de la memoria del servidor módulos DDR3 (1866 Mbit / s). Chip de 8 gigabits DDR4 creará módulos con una capacidad máxima de hasta 128 GB, gracias a la tecnología 3D TSV (A través de Silicon Vía).



La nueva memoria DDR4 con la grabación de datos de alta densidad también es compatible con la corrección de errores avanzada, lo que aumentará su fiabilidad en el proceso de montaje de servidores de la empresa. Además, los nuevos chips y módulos DDR4 tensiones de servicio de 1, 2 voltios, que es, con mucho, el valor mínimo posible.

Fuente: habrahabr.ru/company/samsung/blog/242047/