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Intel promete SSD-drives volumen de 10 TB en dos años
256-384 gigabits por 3D-chip 32 capas
En unos componentes eléctricos NAND de memoria convencionales integrados en estructuras planas, y las capas no están conectados. En agosto del año pasado, Samsung comenzó a producir 3D-chips, que consiste en capas apiladas verticalmente de células 24. Durante mucho tiempo, la única empresa coreana produce V-NAND, pero el 20 de noviembre de este año en presentaciones en video a los inversores Intel dio a conocer los planes soluciones de respuesta.
Intel va a encontrar habitación 256 gigabits (32 GB) en un solo chip NAND-memoria de las 32 capas de tecnología MLC (multi-level cell), el uso de que se almacena en cada célula de los dos bits que requieren calibración cuatro estados. Al usar TLC (celular triple nivel, ocho estados), este volumen se incrementará en medio de 384 gigabits (48 gigabytes).
En Samsung están trabajando en planes de "planos" de 14 nm. Intel y Micron están trabajando con la tecnología de proceso de la memoria de 2D a 16 nm. Sin embargo, la fiabilidad de la memoria 3D disminuye al disminuir el tamaño de los elementos. Samsung 3D-chips utilizando la tecnología de proceso de 40 nm, se espera que Intel va a hacer lo mismo.
El aumento del tamaño de los elementos que utilizan tecnología 3D ha llevado al hecho de que el Samsung 850 Pro называют las unidades más rápidas y fiables del mercado.
En Intel no quiere instalar bastidor rígido desde el advenimiento de tverdotelnikov 10 terabytes. Muy probablemente, el primer volumen de esta unidad se centrará en el sector empresarial y sólo más tarde será ampliamente distribuida en los equipos domésticos.
Vicepresidente y director general de Intel Rob Crook ha prometido que el primer volumen de las unidades creará sólo dos años más tarde. Como señaló, puede causar la memoria 2 mm de espesor terabyte, lo que significa que la memoria de los dispositivos móviles se incrementará, también.
Los nuevos chips serán producidos en colaboración con la fábrica de Micron Technology de Intel Flash Technologies Micron en Lehi, Utah. Las obras serán el segundo semestre de 2015.
Para la comparación, Samsung tiene la unidad V-NAND SM1715 NVMe volumen 3, 2 TB. 400 gigabytes 845DC Pro utiliza 4 24 capa 3D-chip tecnología de proceso de 40nm, el volumen de cada uno de 128 GB. El modelo utiliza el Pro de 32 capas V-NAND MLC-86 volumen de chips Gigabit 850.
Al final de este año, Hynix планирует para comenzar la producción de 3D-NAND. Obras similares ведутся y SanDisk, tal vez en el año 2015 vamos a ver en los estantes de los primeros resultados. Es probable que en el próximo año 3D-memoria se convertirá en la norma.
Basado en el material Extreme Tech, KitGuru y TheRegister. ¿Qué es la cantidad "justa" de unidades de estado sólido en su sistema?
En unos componentes eléctricos NAND de memoria convencionales integrados en estructuras planas, y las capas no están conectados. En agosto del año pasado, Samsung comenzó a producir 3D-chips, que consiste en capas apiladas verticalmente de células 24. Durante mucho tiempo, la única empresa coreana produce V-NAND, pero el 20 de noviembre de este año en presentaciones en video a los inversores Intel dio a conocer los planes soluciones de respuesta.
Intel va a encontrar habitación 256 gigabits (32 GB) en un solo chip NAND-memoria de las 32 capas de tecnología MLC (multi-level cell), el uso de que se almacena en cada célula de los dos bits que requieren calibración cuatro estados. Al usar TLC (celular triple nivel, ocho estados), este volumen se incrementará en medio de 384 gigabits (48 gigabytes).
En Samsung están trabajando en planes de "planos" de 14 nm. Intel y Micron están trabajando con la tecnología de proceso de la memoria de 2D a 16 nm. Sin embargo, la fiabilidad de la memoria 3D disminuye al disminuir el tamaño de los elementos. Samsung 3D-chips utilizando la tecnología de proceso de 40 nm, se espera que Intel va a hacer lo mismo.
El aumento del tamaño de los elementos que utilizan tecnología 3D ha llevado al hecho de que el Samsung 850 Pro называют las unidades más rápidas y fiables del mercado.
En Intel no quiere instalar bastidor rígido desde el advenimiento de tverdotelnikov 10 terabytes. Muy probablemente, el primer volumen de esta unidad se centrará en el sector empresarial y sólo más tarde será ampliamente distribuida en los equipos domésticos.
Vicepresidente y director general de Intel Rob Crook ha prometido que el primer volumen de las unidades creará sólo dos años más tarde. Como señaló, puede causar la memoria 2 mm de espesor terabyte, lo que significa que la memoria de los dispositivos móviles se incrementará, también.
Los nuevos chips serán producidos en colaboración con la fábrica de Micron Technology de Intel Flash Technologies Micron en Lehi, Utah. Las obras serán el segundo semestre de 2015.
Para la comparación, Samsung tiene la unidad V-NAND SM1715 NVMe volumen 3, 2 TB. 400 gigabytes 845DC Pro utiliza 4 24 capa 3D-chip tecnología de proceso de 40nm, el volumen de cada uno de 128 GB. El modelo utiliza el Pro de 32 capas V-NAND MLC-86 volumen de chips Gigabit 850.
Al final de este año, Hynix планирует para comenzar la producción de 3D-NAND. Obras similares ведутся y SanDisk, tal vez en el año 2015 vamos a ver en los estantes de los primeros resultados. Es probable que en el próximo año 3D-memoria se convertirá en la norma.
Basado en el material Extreme Tech, KitGuru y TheRegister. ¿Qué es la cantidad "justa" de unidades de estado sólido en su sistema?
| No tengo SSD |
| Menos de 120 GB |
| 120 hasta 250 GB |
| 250-500 GB |
| 500-1000 GB |
| más de 1.000 GB Solo usuarios registrados pueden votar en las encuestas. sesión , por favor. 348 personas votaron. 21 personas se abstuvieron. Fuente: geektimes.ru/post/241994/ |
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