Samsung ha comenzado la producción en masa de 3, 2 TB Interfaz de servidor 3D V-NAND SSD-memoria NVMe Bashny.Net

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Samsung Electronics ha anunciado el inicio de la producción en masa de interfaz SSDs 3D V-NAND y NVMe memoria 3, 2 TB, destinados a ser utilizados en los sistemas de servidores empresariales de alto rendimiento, de alta gama de segmentos.



La nueva memoria NVME PCIe SSD pila modelo SM1715 factor de forma de Samsung Card patentado utilizado HHHL (media altura, de medio cuerpo, la mitad de la altura, la mitad de longitud). Es posible crear una unidad de estado sólido de 3, 2 TB, más del doble del récord anterior de NVME capacidad SSD de 1, 6 TB. SSD SM1715 es una versión mejorada del modelo XS1715 en términos de rendimiento y fiabilidad. El SSD 2, 5 pulgadas fue galardonado con el 2014 Memoria Flash Cumbre Best of Show Award como uno de los desarrollos más innovadores en el campo de la memoria flash.
Nueva NVMe SSD de 3, 2 TB proporciona una velocidad de lectura secuencial de hasta 3000 MB / s, y velocidades de escritura de hasta 2200 MB / s. Indicadores IOPS (número de operaciones con bloques de datos aleatorias de 4 KB) igual a 750.000. Y 130.000. Para la lectura y escritura, respectivamente. Además, SSD SM1715 de 3, 2 GB está diseñada para 10 ciclos completos de reescritura diaria (DWPD) durante cinco años. Esto garantiza una alta fiabilidad, que es crítica para servidores empresariales.
Unidad de Samsung SM1715 será producido en dos versiones: volumen 1, 6 y 3 TB, 2 TB. 2, modelo de 5 pulgadas con XS1715 NVMe interfaz también estará disponible dos opciones: con una capacidad de 800 GB y 1 TB 6. Los precios no han sido anunciados.

Fuente: habrahabr.ru/company/samsung/blog/238981/