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El nuevo PCM-memoria de IBM 275 veces más rápido que de memoria flash. Proyecto Teseo
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Hace unos días, IBM introdujo una memoria interesante fase de proyecto de cambio (PCM, fase cambio de memoria). El proyecto se denomina Teseo , y se demostró en la conferencia no volátil Taller Memoria 2014 en Grecia (todos los partidos con nombres de la mitología antigua coincidencia :)).
Así, la esencia del proyecto - estructura material de cambio de fase cuando se expone a este choque de sustancias. Sustancia divide en células convencional y el material en cada célula puede tomar cualquier forma amorfa o cristalina. En este sentido, el estado amorfo de 0, Crystal (conductor) -. Por unidad
Leyendo el estado de una sustancia en la célula se produce mediante el uso de corrientes ultra bajas que no afectan el estado de la sustancia en la célula. Cambiar el estado de una sustancia que no es una sola vez, por supuesto, los desarrolladores indican que el número condicional de ciclos de escritura en un medio alcanza un millón.
Vale la pena señalar que la idea de utilizar una sustancia que cambia la estructura bajo la influencia de almacenamiento de información actual se propuso en los años 70 del siglo pasado. Sin embargo, cualquier aplicación con éxito de esta idea se llevó a cabo. Esto es porque incluso en el pasado reciente, el tamaño de la junta con cualquier cantidad sana de memoria necesaria para alcanzar grandes tamaños.
Con respecto a los resultados de la prueba, la velocidad de escritura de PCM es impresionante: 99, 9% de las solicitudes se hicieron en sólo 240 microsegundos. La misma prueba que utiliza tarjetas de memoria flash PCI-E y SSD, mostró que hay un registro 12 y 275 veces más lento que en el caso de la utilización de un nuevo tipo de memoria.
Como se puede ver en la foto, y ahora dicha tasa difícilmente podría llamarse portátil. Sin embargo, esta etapa inicial del proyecto, que acaba de comenzar a mostrar resultados interesantes. Los desarrolladores no planean utilizar "limpia la memoria» PCM. Dispositivos comerciales utilizarán la tecnología híbrida PCM-NAND, lo que reduce el tamaño de la placa, como la velocidad, así como de manera significativa la lectura / escritura de datos, en comparación con SSD moderna.
Una tarjeta de interfaz de conexión - PCI-e, lo que es compatible con casi cualquier ordenador moderno
.
Se espera que las primeras muestras comerciales de nueva memoria aparecerán en 2016. El equipo del proyecto cree que esta memoria es óptima para su uso en hardware de servidor de clase empresarial, que está trabajando con grandes cantidades de datos y exigir el máximo rendimiento.
Por cierto, aquí presentación del proyecto en Inglés.
Fuente: habrahabr.ru/company/ibm/blog/223053/
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