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新的PCM内存IBM的275倍，比闪存快。项目忒修斯
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日前，IBM推出了一个有趣的项目相变存储器（PCM，相变存储器）。该项目被命名为忒修斯的，并且它在希腊显示在会议非易失性存储器研讨会2014年（所有与古代神话巧合:)相匹配的名字）。
所以，该项目的本质 - 相变材料的结构时，暴露于该物质的冲击。物质分为常规小区和每个小区中的材料可采取任何形式的无定形或结晶的。在这方面的0非晶状态，晶体（导电）。 - 每单位
读取在细胞的物质的状态时，通过使用超低电流不影响单元中的物质的状态。改变物质的状态不是一次性的，当然，开发商表明写入周期的一个媒体上的条件数达到一百万。
值得一提的是，提出了在上世纪70年代使用改变的当前信息存储的影响下，结构物的想法。然而，任何成功实施这一想法进行了。这是因为，即使是在最近的过去，董事会以达到大尺寸需要的内存任何理智的量的大小。
对于测试结果，PCM的写入速度令人印象深刻：99，要求9％的只有240微秒发了言。使用的PCI-E闪存卡和SSD相同的测试，结果表明有一个记录12和275倍，比在使用新类型的存储器的情况下慢。
如可以看到的照片中，而现在这种费用很难被称为便携。然而，该项目的初始阶段，它刚刚开始显示出有趣的结果。开发商不打算使用“干净»PCM内存。商业设备将采用混合动力技术PCM-NAND，从而减少了电路板的尺寸，以及显著加快读/写数据，有现代化的SSD相比。
连接接口板 - PCI-E，什么是与几乎所有现代计算机兼容
。
据预计，新的内存第一商业样品将出现在2016年。项目组认为，这种记忆是最适合的服务器硬件，企业级的，这正与大量数据，并且需要最高性能的使用。
顺便说一句，这里项目英语演讲。
来源： habrahabr.ru/company/ibm/blog/223053/
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