Вчені створили гібридні нанопори

Indium arsenide (зелено-блакитний) інтегрований в нанопровід кремнію (синій).
Фото: HZDR/Prucnal

Команда науковців з Віденського університету технологій, Центру ім. Гогольца в Дрездені та фахівці з Маріу Кюрі-Склодовська університету змогли розмістити напівпровідникові кристали в нанопровідниках кремнію.

Нові технології для виробництва гібридних нанопроводів дозволяють створювати швидкі та багатофункціональні пристрої, які можна розмістити в одному чіпі. Дотепер дослідження нано-оптоелектроніки мають зіткнутися з проблемами: електронні компоненти повинні бути розміщені в дуже невеликих просторах. З іншого боку, комплексні напівпровідники повинні розташовуватися в звичайних матеріалах. Міжнародна група науковців зробила величезний леп у подолання таких проблем. Вони змогли інтегрувати комплексні напівпровідникові кристали, від арсеніду натрію (InAs) в нанопроводи кремнію, ідеальні для побудови компактних чіпсів.

Щоб зробити технологічний прорив, дослідники використовували синтезований промінь іонів і теплової обробки за допомогою ксенонних ліхтарів. Спочатку науковці вводили потрібну кількість атомів за допомогою іонної імплантації, а потім проголошили кремнієві дроти на 20 мілісекунд.

Джерело: nauka24news.ru/