Сибирские ученые научились получать алмазные пленки толщиной 30 нанометров. Это на порядок тоньше, чем производят в Европе и США.

Завлабораторией Института физики полупроводников (ИФП) имени Ржанова Сибирского отделения РАН Владимир Попов пояснил в интервью, что, чем меньше толщина материала микросхемы, тем меньше возникает паразитных эффектов и помех, ниже энергозатраты, поэтому пленка наноразмерной толщины — идеальная основа для микросхем. Например, кремниевые пленки толщиной до одного нанометра, разработанные в ИФП СО РАН, используют организации Росатома и Роскосмоса при создании приборов радиационно-стойкой электроники; институты РАН и РАМН пользуются ими в приборах наноэлектроники и биосенсорах.

Сейчас алмазные пленки толщиной до 300 нанометров получают в нескольких лабораториях мира, но все их бесспорные плюсы перечеркиваются так называемыми остаточными дефектами, которые образуются при отделении пленки от кристалла.

«Мы нашли способ избежать появления дефектов на всех этапах процесса и сохранить исходную структуру синтетического кристалла, который выращивают наши коллеги из Института геологии и минералогии СО РАН», — пояснил Попов.

Использование квантовых оптических эффектов в алмазных микросхемах на порядки повысит объем вычислений компьютеров. Кроме того, алмазные микросхемы могут работать при температурах до + 800 градусов Цельсия, что, в частности, позволило бы создавать приборы прямого контроля и регулировки работы реактивных и других двигателей.

Ученый также отметил, что алмаз может вытеснить с рынка кремниевую микроэлектронику. Но произойдет это тогда, когда появится технология, позволяющая делать из него микросхемы: для этого нужно вырастить кристалл с заданными свойствами, научиться отслаивать от него тончайшие пленки и встраивать в его кристаллическую структуру другие химические элементы (легировать), чтобы повысить его низкую электропроводность.

Источник: www.ria.ru

Инновационный центр «Сколково»

Соцсети: В Контакте, Твиттер, Фэйсбук и Гугл+

Сайт фонда: www.sk.ru