Batieron el récord de eficiencia de paneles solares de silicio Bashny.Net

El grupo de ingenieros del Instituto alemán de sistemas de energía solar en nombre de fraunhofer (ISE) y el fabricante de semiconductores EV Group (EVG) establecer un nuevo récord de eficiencia de silicio мультиконтактных solares, después de haber logrado la eficiencia del 31,3%.

Los científicos han logrado tan alta de indicadores de la eficiencia en el трехконтактных celdas solares. El récord anterior con el mismo equipo de ingenieros ha establecido en noviembre del año pasado — entonces la eficiencia de las celdas solares fue de 30,2%.





Cuando la creación de nuevos paneles solares, los investigadores utilizaron la tecnología de empalme de las placas, que a menudo se aplica en el ámbito de la microelectrónica. La metodología permite la transferencia de una capa de material semiconductor III-V de un grupo de pocas micras de grosor en el silicio. Después de plasma de activación de la superficie de la субъячеек se unen en el vacío bajo presión. En consecuencia, los átomos de los materiales semiconductores se combinan con los átomos de silicio, lo que da lugar a la formación monolítica de la construcción, que, a su vez, proporciona el más alto ratio de conversión fotovoltaica.





Трехконтактные los paneles solares están compuestos de tres субъячеек, superpuestos. Ellos están hechos de fosfuro de galio india (GaInP), арсенида de galio (GaAs) y el silicio (Si). Los tres субъячейки conectados тоннельными los diodos. GaInP convierte en electricidad la radiación en el rango de la longitud de onda de 300 a 670 nm, GaAs — de 500 a 890 nm, y Si es de 650 hasta 1180 nm.

Elementos aparentemente no se diferencian de los tradicionales paneles solares fotovoltaicos, señalan los científicos en un comunicado de prensa. Esto permite consolidar sus usuales módulos de paneles solares.

Recientemente, un grupo de ingenieros de la empresa Kaneka Corp. ha desarrollado silicio paneles solares con una eficiencia de 26,3%. Híbrido de arquitectura y tecnología de una heterounión permiten avanzar aún más altas. Así, en enero de 2016, los ingenieros del laboratorio Nacional de energía renovable de los estados unidos y el Centro suizo de electrónica y de microfabricación, aumentaron la tasa de rendimiento de doble solares III-V/Si, unidos a través de la tecnología de una heterounión, hasta el 29,8%. publicado

 

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Fuente: hightech.fm/2017/03/30/fraunhofer