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破纪录的效率硅太阳能电池板
一组工程师从德国研究所对太阳能系统名的德国弗劳恩霍夫(日本)和奥地利的半导体制造商评估组(集团)已经设置一个新的记录多种接点的效率硅太阳能电池,实现一个效率的31.3%以上。
科学家们提出了这样的高性能从一个三脚太阳能电池。 以前的记录相同的工程师团队的设立是在去年十一月—然后太阳能电池的效率为30.2%以上。
在创建新的太阳能电池板,研究人员使用的技术的拼板,这是经常使用在该领域的微电子学。 该技术可以转移层的半导体材料III-V组与几微米的厚度上的硅。 后等离子体表面活化的下面连接在一个真空的压力。 结果,原子半导体材料与硅原子,这导致形成一个整体结构,这反过来提供了较高比率的光电转换。
三脚太阳能电池包括三个下面的相互叠加。 他们是从磷化镓铟(GaInP)、砷化镓(GaAs)和硅(Si)。 所有三个sabyasachi隧道连接二极管。 GaInP转换成电力辐射波长范围内的长度从300至670纳米GaAs在500至890纳米,且Si—650至1180纳米。
元素看起来没有什么不同,从传统的太阳能电池、研究人员注意在一份新闻稿。 这可以让你安装他们在传统的光伏发的模块。
最近,一组工程师从本公司公司开发的硅太阳能电池板的效率的26.3%。 混合式建筑和技术,异质结可以实现更高的性能。 因此在2016年,工程师从美国国家可再生能源实验室的美国和瑞士中心,为电子和微技术已增加的绩效因素的双重太阳能电池III-V/Si,连接的技术,异质结,29.8%以上。 出版
P.S.记住,仅仅通过改变他们的消费—我们一起改变世界了。 ©
资料来源:高科技的。fm/2017/03/30/弗劳恩霍夫
科学家们提出了这样的高性能从一个三脚太阳能电池。 以前的记录相同的工程师团队的设立是在去年十一月—然后太阳能电池的效率为30.2%以上。
在创建新的太阳能电池板,研究人员使用的技术的拼板,这是经常使用在该领域的微电子学。 该技术可以转移层的半导体材料III-V组与几微米的厚度上的硅。 后等离子体表面活化的下面连接在一个真空的压力。 结果,原子半导体材料与硅原子,这导致形成一个整体结构,这反过来提供了较高比率的光电转换。
三脚太阳能电池包括三个下面的相互叠加。 他们是从磷化镓铟(GaInP)、砷化镓(GaAs)和硅(Si)。 所有三个sabyasachi隧道连接二极管。 GaInP转换成电力辐射波长范围内的长度从300至670纳米GaAs在500至890纳米,且Si—650至1180纳米。
元素看起来没有什么不同,从传统的太阳能电池、研究人员注意在一份新闻稿。 这可以让你安装他们在传统的光伏发的模块。
最近,一组工程师从本公司公司开发的硅太阳能电池板的效率的26.3%。 混合式建筑和技术,异质结可以实现更高的性能。 因此在2016年,工程师从美国国家可再生能源实验室的美国和瑞士中心,为电子和微技术已增加的绩效因素的双重太阳能电池III-V/Si,连接的技术,异质结,29.8%以上。 出版
P.S.记住,仅仅通过改变他们的消费—我们一起改变世界了。 ©
资料来源:高科技的。fm/2017/03/30/弗劳恩霍夫