Трансистори з 2-D матеріалів

У двох незалежних дослідницьких командах випередили перші транзистори, побудовані повністю з двовимірних електронних матеріалів, що робить ці пристрої навіть тоншими. Розвиток прозорих перетворювачів, які мають кілька атомів, можуть призвести до ефективного та гнучкого відображення високого дозволу.

Група інженерів з Національної лабораторії Аргонне виконана гнучкими транзисторами з використанням графена для електродів, WSe 2 для напівпровідникового каналу та шестигранної нітриди в якості утеплювача. Швидкість електронів в пристроях становить близько 100 разів швидше, ніж в аморфних силіконних пристроях. Це висока мобільність електронів означає швидке перемикання транзисторів, які контролюють частоту оновлення дисплея, необхідно для якісного відео, особливо 3-D відео.

Група вчених в Університеті Каліфорнія розробила аналогічні транзистори, крім того, вони використовували MoS 2 як напівпровідник. Їхні перетворювачі мають електронну мобільність близько 70 разів вище, ніж аморфні пристрої кремнію.

Джерело: nauka24news.ru/