En el año 2016 en rusia comenzará la producción de paneles solares sobre la base de área Алферова Bashny.Net

En el próximo año en rusia comenzará la producción de paneles solares en un semiconductor гетероструктурах. La eficiencia de los paneles en dos veces superior a la de los modernos y a precios más abajo. En la elaboración de paneles participó jaurès ivánovich Алферов, ruso ganador del premio nobel de física.


"La invención de la Алферова será la base para la producción de células solares de nueva generación", dice eugene Теруков, jefe de laboratorio de las propiedades físico-químicas de los semiconductores del instituto nombre de a. Йоффе. Ahora esto es posible gracias a que el silicio se cayó en diez veces, y él es el componente esencial de semiconductores y de área".

Según Терукова, en las modernas tecnologías de fabricación de paneles solares de capa fina de silicio se aplica sobre un substrato de vidrio. La eficiencia de un panel de 12% como máximo. Si el cristal de sustituir completamente la cinética de la reacción, la eficiencia aumenta a la mitad.

Los nuevos paneles solares se utilizará para la construcción de sistemas autónomos de suministro de energía con una potencia de 100 kw en regiones remotas de rusia —en el altai, en el lejano oriente, el cáucaso y crimea, dijo eugene Теруков. El académico de la Алферов hoy se dedica a la mejora de la solar. Además del premio nobel de él tiene muchos otros premios. En particular, en 1996, otorgó el premio a nombre de a. ioffe por el ciclo de obras "Fotoeléctricos de los convertidores de la radiación solar sobre la base de área".

"El objetivo de mi investigación — mejora de la eficiencia de las células solares. A través de diez años de фотоэлектроэнергетика será rentable para el año 2050, es posible, sustituya la energía de la combustión de hidrocarburos y energía nuclear", dice el académico de la Алферов. publicado

 

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Fuente: zeleneet.com/v-2016-godu-v-rossii-nachnetsya-proizvodstvo-solnechnyx-panelej-na-osnove-geterostruktur-alferova/33354/